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標(biāo)題: Titlebook: Halbleiter-Bauelemente; Michael Reisch Textbook 2007Latest edition Springer-Verlag Berlin Heidelberg 2007 Bauelement.Bipolartransistor.Ele [打印本頁]

作者: Fillmore    時間: 2025-3-21 19:25
書目名稱Halbleiter-Bauelemente影響因子(影響力)




書目名稱Halbleiter-Bauelemente影響因子(影響力)學(xué)科排名




書目名稱Halbleiter-Bauelemente網(wǎng)絡(luò)公開度




書目名稱Halbleiter-Bauelemente網(wǎng)絡(luò)公開度學(xué)科排名




書目名稱Halbleiter-Bauelemente被引頻次




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書目名稱Halbleiter-Bauelemente年度引用




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書目名稱Halbleiter-Bauelemente讀者反饋




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作者: Chronic    時間: 2025-3-21 20:58
978-3-540-73199-3Springer-Verlag Berlin Heidelberg 2007
作者: concubine    時間: 2025-3-22 04:05

作者: 確定的事    時間: 2025-3-22 07:20

作者: 鋼盔    時間: 2025-3-22 10:05

作者: 印第安人    時間: 2025-3-22 13:57
https://doi.org/10.1007/978-1-349-23556-8reichen von der Energiegewinnung (Solarzellen) über optische Nachrichten übertragung, Detektion schwacher optischer Signale, Bildwandlung, Displays bis hin zu den unterschiedlichsten Aufgaben der Me?-, Steuerungs-und Regelungstechnik.
作者: Coordinate    時間: 2025-3-22 18:50

作者: Cognizance    時間: 2025-3-22 22:13

作者: 無目標(biāo)    時間: 2025-3-23 05:23

作者: 遭遇    時間: 2025-3-23 08:22

作者: 損壞    時間: 2025-3-23 11:36
Thyristoren,ahngebiete werden üblicherweise mit p. (Anode), n. (Basis), p. (Gate) und n. (Kathode) bezeichnet, die pn-überg?nge mit J., J. und J.. Das Schaltzeichen des Thyristors ?hnelt dem der Diode (vgl. Abb. 7.1), im Unterschied dazu ist zus?tzlich zu Anode (A) und Kathode (K) jedoch ein dritter Anschlu? vorhanden, das sog. Gate (G).
作者: visual-cortex    時間: 2025-3-23 15:50
Michael ReischKompaktes Lehrbuch für Vorlesung und Selbststudium.Didaktisch ausgefeiltes Konzept mit durchgehender Beschreibungssprache PSpice.Praktische Lern- und Arbeitshilfen im Web.Includes supplementary materi
作者: 領(lǐng)帶    時間: 2025-3-23 21:07

作者: BADGE    時間: 2025-3-23 23:12

作者: exostosis    時間: 2025-3-24 03:39

作者: scrutiny    時間: 2025-3-24 07:39

作者: Herpetologist    時間: 2025-3-24 11:17

作者: Multiple    時間: 2025-3-24 17:25
Bipolartransistoren,Der Bipolartransistor (BJT). wurde 1947 in den Bell Laboratorien erfunden. Diese Erfindung leitete eine Revolution in der Elektronik ein und hat mit der etwa ein Jahrzehnt sp?ter entwickelten Planartechnologie das Tor zu dem sich rasch weiterentwickelnden Gebiet der integrierten Schaltungen. aufgesto?en.
作者: Flat-Feet    時間: 2025-3-24 22:38
Feldeffekttransistoren,Feldeffekttransistoren (FETs) sind aktive Bauelemente, bei denen der Stromflu? durch einen leitenden Kanal mit Hilfe einer Steuerelektrode moduliert werden kann. Der prinzipielle Aufbau eines FET ist in Abb. 5.1 dargestellt: Der zwischen den Anschlüssen . (.) und .. (.) flie?ende Strom wird durch das sog. . (.) gesteuert.
作者: 鞭打    時間: 2025-3-24 23:14
0937-7433 ngsaufgaben unterstützt. Für die zweite Auflage stehen im Internet Musterl?sungen und Datenbl?tter ausgew?hlter Bauelemente zum Download bereit. .978-3-540-73199-3978-3-540-73200-6Series ISSN 0937-7433 Series E-ISSN 2512-5214
作者: ILEUM    時間: 2025-3-25 06:07
Dietrich Jung (Senior Research Fellow)utung, sondern wesentlicher Bestandteil nahezu s?mtlicher Halbleiterbauelemente wie Bipolartransistoren, Thyristoren, Feldeffekttransistoren etc. ist. Daneben werden Metall-Halbleiter-Kontakte (Schottky-Kontakte) und MOS-Kondensatoren behandelt.
作者: craving    時間: 2025-3-25 11:04
The Middle East Between the Great Powersei aneinandergrenzende Halbleitergebiete unterschiedlicher Dotierung (n- bzw. p-Typ) erzeugt werden, und Schottky-Dioden, die aus einem Metall-Halbleiter-übergang bestehen. Beispielhafte Datenbl?tter zu den behandelten Dioden sind im Ordner Datenbl?tter/Dioden auf der mitgelieferten CD-ROM zu finden
作者: 悅耳    時間: 2025-3-25 12:07
https://doi.org/10.1007/978-1-349-23556-8reichen von der Energiegewinnung (Solarzellen) über optische Nachrichten übertragung, Detektion schwacher optischer Signale, Bildwandlung, Displays bis hin zu den unterschiedlichsten Aufgaben der Me?-, Steuerungs-und Regelungstechnik.
作者: HEAVY    時間: 2025-3-25 18:12
https://doi.org/10.1007/978-3-540-70624-3ahngebiete werden üblicherweise mit p. (Anode), n. (Basis), p. (Gate) und n. (Kathode) bezeichnet, die pn-überg?nge mit J., J. und J.. Das Schaltzeichen des Thyristors ?hnelt dem der Diode (vgl. Abb. 7.1), im Unterschied dazu ist zus?tzlich zu Anode (A) und Kathode (K) jedoch ein dritter Anschlu? vo
作者: congenial    時間: 2025-3-25 23:51

作者: crutch    時間: 2025-3-26 01:34

作者: 馬具    時間: 2025-3-26 06:04

作者: 縮影    時間: 2025-3-26 09:52
Thyristoren,ahngebiete werden üblicherweise mit p. (Anode), n. (Basis), p. (Gate) und n. (Kathode) bezeichnet, die pn-überg?nge mit J., J. und J.. Das Schaltzeichen des Thyristors ?hnelt dem der Diode (vgl. Abb. 7.1), im Unterschied dazu ist zus?tzlich zu Anode (A) und Kathode (K) jedoch ein dritter Anschlu? vo
作者: 氣候    時間: 2025-3-26 16:28
Textbook 2007Latest editionSchaltungssimulationen stehen im Mittelpunkt dieses kompakten Lehrbuchs. Der Autor beschreibt Kontakte, Halbleiterdioden, Bipolartransistoren, Feldeffekttransistoren, Optoelektronische Bauelemente und Thyristoren. Das Buch eignet sich als Lehrbuch neben Vorlesungen an Fachhochschulen und Universit?t
作者: escalate    時間: 2025-3-26 19:32

作者: Fsh238    時間: 2025-3-26 21:08
Textbook 2007Latest editionen und zum Selbststudium. Das Lernen wird durch zahlreiche vollst?ndig durchgerechnete übungsaufgaben unterstützt. Für die zweite Auflage stehen im Internet Musterl?sungen und Datenbl?tter ausgew?hlter Bauelemente zum Download bereit. .
作者: Organonitrile    時間: 2025-3-27 01:46

作者: decode    時間: 2025-3-27 07:37
Die Bank als Mittler zwischen Beteiligungskapital und Aktienverm?gen — eine Marketingaufgabeie Aktien von über 1700 Unternehmen an der B?rse notiert werden. Und w?hrend in Deutschland gerade einmal jeder zwanzigste sein Verm?gen (auch) in Aktien anlegt, betr?gt der Anteil der Aktion?re an der Gesamtbev?lkerung in Gro?britannien über 17%.
作者: Semblance    時間: 2025-3-27 12:30
2662-6314 numerous Asian countries to radically transform their low-income agricultural economies to middle-income industrialized ones. This book is essential reading for researchers and scholars interested in Asian economic development..978-1-349-95579-4978-1-137-59780-9Series ISSN 2662-6314 Series E-ISSN 2662-6322
作者: 敲竹杠    時間: 2025-3-27 15:23

作者: DAFT    時間: 2025-3-27 18:36
Estimation of State of Charge for Lithium-Ion EV Battery Packs Using Passive Cell Balancing,ascinating modelling approaches for predicting battery performance, this study begins by outlining the stringent standards and requirements that apply to integrating battery management circuits and systems. Following that, a generic and flexible framework for implementing BMS is provided, together w
作者: 蚊帳    時間: 2025-3-28 01:08
Operational Semantics for Declarative Networkingantics is parameterized to keep open a design space required at the current stage of the language development. We also report on our first experience with an interpreter for Declarative Networking applications that implements the proposed semantics.
作者: 責(zé)問    時間: 2025-3-28 02:52

作者: 混合    時間: 2025-3-28 08:24

作者: Afflict    時間: 2025-3-28 12:38





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