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標(biāo)題: Titlebook: Elemente der angewandten Elektronik; Kompendium für Ausbi Erwin B?hmer Textbook 200113th edition Springer Fachmedien Wiesbaden 2001 Bauelem [打印本頁]

作者: ODE 時(shí)間: 2025-3-21 17:52
書目名稱Elemente der angewandten Elektronik影響因子(影響力)

書目名稱Elemente der angewandten Elektronik影響因子(影響力)學(xué)科排名

書目名稱Elemente der angewandten Elektronik網(wǎng)絡(luò)公開度

書目名稱Elemente der angewandten Elektronik網(wǎng)絡(luò)公開度學(xué)科排名

書目名稱Elemente der angewandten Elektronik被引頻次

書目名稱Elemente der angewandten Elektronik被引頻次學(xué)科排名

書目名稱Elemente der angewandten Elektronik年度引用

書目名稱Elemente der angewandten Elektronik年度引用學(xué)科排名

書目名稱Elemente der angewandten Elektronik讀者反饋

書目名稱Elemente der angewandten Elektronik讀者反饋學(xué)科排名

作者: braggadocio 時(shí)間: 2025-3-21 22:56

作者: 笨拙的你 時(shí)間: 2025-3-22 00:36

作者: 敏捷 時(shí)間: 2025-3-22 06:59
Michael Paluszek,Stephanie Thomas zeigt schematisch den Aufbau eines Sperrschicht-Feldeffekt-Transistors. Eine innere ?Kanalzone“ von n- oder p-leitendem Typ wird umgeben von einem Mantel, der sog. Gatezone vom entgegengesetzten Leitungstyp. Diese hat den Anschlu? ?Gate“ G, der für die Stromleitung vorgesehene Kanal hat die Anschlüsse ?Source“ S und ?Drain“ D.

作者: 禮節(jié) 時(shí)間: 2025-3-22 09:35
Image Display, Processing and Analysis,eschalteten invertierenden Verst?rker (OP2), dessen Ausgang auf den Eingang der RC-Kette rückgekoppelt wird. Trennt man diese ?Ringschaltung“ an der gestrichelten Stelle auf, so erh?lt man für den offenen Ring die ?Schleifenverst?rkung“: ..

作者: paltry 時(shí)間: 2025-3-22 15:40

作者: paltry 時(shí)間: 2025-3-22 18:07

作者: indecipherable 時(shí)間: 2025-3-22 23:46
Relais,bet?tigt. Für eine ausreichende Magnetkraft ist eine bestimmte Erregerdurchflutung erforderlich (Θ = I. ? N = 50 ... 150 A bei mittlerer Baugr??e). Von der Erregung her unterscheidet man Gleichstrom- und Wechselstromrelais. Die letzteren werden vor allem für die Enereietechnik als ?Schaltschütze“ mit ?geblechtem“ Kern gebaut.

作者: 起來了 時(shí)間: 2025-3-23 04:26

作者: 感染 時(shí)間: 2025-3-23 07:13

作者: follicular-unit 時(shí)間: 2025-3-23 13:30

作者: palette 時(shí)間: 2025-3-23 14:49

作者: 修飾語 時(shí)間: 2025-3-23 21:56

作者: 整潔漂亮 時(shí)間: 2025-3-24 01:52
Homogene Halbleiterbauelemente,Halbleiter sind in der Regel kristalline Werkstoffe, deren Leitf?higkeit niedriger ist als die Leitf?higkeit der Metalle aber h?her als die Leitf?higkeit der Nichtleiter. Dazu geh?ren Germanium, Silizium, Selen sowie eine Reihe von Verbindungshalbleitern wie Bleisulfid, Indiumantimonid und Siliziumkarbid.

作者: 說不出 時(shí)間: 2025-3-24 03:48

作者: confide 時(shí)間: 2025-3-24 08:47

作者: 割公牛膨脹 時(shí)間: 2025-3-24 10:43

作者: Arroyo 時(shí)間: 2025-3-24 18:32
Viewegs Fachbücher der Technikhttp://image.papertrans.cn/e/image/307516.jpg

作者: exceptional 時(shí)間: 2025-3-24 19:20
Michael Paluszek,Stephanie Thomaserforderlich ist. Es h?lt sich dabei an die Vorgehensweise der Praxis mit einer Beschreibung der Betriebseigenschaften durch Kenndaten und Kennlinien, die der Hersteller üblicherweise im Datenblatt angibt.

作者: 小樣他閑聊 時(shí)間: 2025-3-25 01:56
MATLAB Machine Learning Recipeshte in Luft, deren charakteristische Eigenschaften im folgenden betrachtet werden. Die dabei gewonnenen Erkenntnisse lassen sich analog auch auf andere Leitungsformen in Luft und anderen Medien übertragen.

作者: 繁榮地區(qū) 時(shí)間: 2025-3-25 06:22

作者: Injunction 時(shí)間: 2025-3-25 07:39
Optimization Using Symbolic Computation,agnetisches Feld mit dem Energieinhalt W. Das Spuleninnere wird von dem Bündelflu? Φ durchdrungen. Bei einer offenen Zylinderspule nach . streuen die Feldlinien stark in den Raum aus. Mit der Annahme, da? sie alle N Windungen durchsetzen, definiert man den verketteten Flu? Ψ = N ? Φ. In Verbindung m

作者: 分解 時(shí)間: 2025-3-25 13:04

作者: 占卜者 時(shí)間: 2025-3-25 16:24

作者: 放肆的你 時(shí)間: 2025-3-25 20:10

作者: 輕快帶來危險(xiǎn) 時(shí)間: 2025-3-26 02:15

作者: 瑪瑙 時(shí)間: 2025-3-26 06:27
https://doi.org/10.1007/978-1-4842-0343-9Strom flie?t über einander abwechselnde n- und p-Zonen. . zeigt die Zonenfolge beim npn-Transistor, . beim dazu komplement?ren pnp-Transistor mit den Anschlüssen Emitter E, Basis B und Kollektor C. Die beiden pn-überg?nge kann man ersatzweise nach . als gegeneinander geschaltete Dioden darstellen mi

作者: 協(xié)奏曲 時(shí)間: 2025-3-26 12:11
Application of Simulink in Power Systems,chenverst?rker (T3) und einer Endstufe (T4). Die Schaltung hat zwei Eing?nge — mit P und N bezeichnet — und einen Ausgang A, jeweils bezogen auf Masse. Die letztere wird gebildet durch den gemeinsamen Schaltungspunkt einer positiven und negativen Betriebsspannungsquelle. Die einzelnen Verst?rkerstuf

作者: dragon 時(shí)間: 2025-3-26 14:25

作者: Hla461 時(shí)間: 2025-3-26 18:12
Image Display, Processing and Analysis,eschalteten invertierenden Verst?rker (OP2), dessen Ausgang auf den Eingang der RC-Kette rückgekoppelt wird. Trennt man diese ?Ringschaltung“ an der gestrichelten Stelle auf, so erh?lt man für den offenen Ring die ?Schleifenverst?rkung“: ..

作者: Triglyceride 時(shí)間: 2025-3-26 23:33

作者: 有發(fā)明天才 時(shí)間: 2025-3-27 01:14

作者: 原告 時(shí)間: 2025-3-27 08:32
,Physikalische Modelle unter Sirnulink?,verdeutlicht mit .. Die Ausg?nge eines 3 Bit-Dualz?hlers mit den Bits d., .., d. werden einem DA-Umsetzer zugeführt, der analog zum jeweiligen Z?hlerstand eine Ausgangsspannung u. bildet. Gem?? der schrittweisen ?nderung der Dualzahl kann sich auch die Spannung u. nur schrittweise um jeweils eine Sp

作者: craving 時(shí)間: 2025-3-27 13:04
Systeme und ihre mathematischen Modelle,hrte Funktion ausüben. Da es sich dabei h?ufig nur um Varianten konventioneller Bauelemente handelt, wurden einige bereits im vorangegangenen Text besprochen: Fotowiderst?nde, Fotodioden bzw. Fotoelemente, Leuchtdioden, Anzeigebausteine und Bildr?hren. Im folgenden sollen Fototransistoren und -thyri

作者: resuscitation 時(shí)間: 2025-3-27 13:36

作者: TAIN 時(shí)間: 2025-3-27 20:06
Halbleiterdioden, Die entstehende ?Potentialschwelle“ wirkt mit ihrem elektrischen Feld dem Ausgleichsbestreben entgegen. Es bildet sich die Diffusionsspannung U. über einem an freien Ladungstr?gern verarmten übergangsgebiet, der sog. Sperrschicht. Versehen mit beiderseitigen Metallkontakten entsteht eine Diode..

作者: Infect 時(shí)間: 2025-3-27 23:16

作者: 一起平行 時(shí)間: 2025-3-28 02:18

作者: Bone-Scan 時(shí)間: 2025-3-28 07:15
,Operationsverst?rker,. Die letztere wird gebildet durch den gemeinsamen Schaltungspunkt einer positiven und negativen Betriebsspannungsquelle. Die einzelnen Verst?rkerstufen sind galvanisch gekoppelt, so da? auch Gleichspannungen verst?rkt werden k?nnen (Gleichspannungsverst?rker).

作者: anniversary 時(shí)間: 2025-3-28 12:13

作者: Morose 時(shí)間: 2025-3-28 17:36
https://doi.org/10.1007/978-1-4842-0343-9t dem gemeinsamen Punkt B’ im Inneren der Basiszone, der über den ?Basisbahnwiderstand“ R., (Gr??enordnung einige Ohm) zum Anschlu? B Verbindung hat. Dieses Bild mit getrennten Dioden erkl?rt schematisch den Transistoraufbau, nicht aber seine Funktion.

作者: cunning 時(shí)間: 2025-3-28 20:04

作者: placebo-effect 時(shí)間: 2025-3-29 02:54

作者: Chandelier 時(shí)間: 2025-3-29 04:39
Data Analysis in Earth Sciences,ei Si-Transistoren auf 150 ... 200 °C. Im station?ren Zustand gilt für die ?totale“ Verlustleistung eines Bipolartransistors: ... für die Temperatur der besonders beanspruchten Kollektor-Basis-Sperrschicht. R. ist der gesamte W?rmewiderstand zwischen der Sperrschicht und der Umgebung, T. ist die Umgebungstemperatur.

作者: 即席演說 時(shí)間: 2025-3-29 09:27

作者: 變化無常 時(shí)間: 2025-3-29 11:23

作者: 讓空氣進(jìn)入 時(shí)間: 2025-3-29 15:46

作者: Enteropathic 時(shí)間: 2025-3-29 23:09
https://doi.org/10.1007/978-1-4842-0295-1 aufteilt. Die in den Wicklungen induzierten Spannungen u. und u. ergeben sich aus der Selbstinduktion (Faktor L), überlagert mit einem Anteil der Fremdinduktion (Faktor M) aufgrund der zweiten Spule. Bei Widerstandsfreiheit gilt mit i. = i. = i für die Klemmenspannung u: . als resultierende Induktivit?t.

作者: Acquired 時(shí)間: 2025-3-30 00:02
Application of Simulink in Power Systems,. Die letztere wird gebildet durch den gemeinsamen Schaltungspunkt einer positiven und negativen Betriebsspannungsquelle. Die einzelnen Verst?rkerstufen sind galvanisch gekoppelt, so da? auch Gleichspannungen verst?rkt werden k?nnen (Gleichspannungsverst?rker).

作者: MODE 時(shí)間: 2025-3-30 05:41