標(biāo)題: Titlebook: Elemente der angewandten Elektronik; Kompendium für Ausbi Erwin B?hmer,Dietmar Ehrhardt,Wolfgang Oberschelp Textbook 200715th edition Viewe [打印本頁] 作者: ANNOY 時間: 2025-3-21 18:34
書目名稱Elemente der angewandten Elektronik影響因子(影響力)
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書目名稱Elemente der angewandten Elektronik網(wǎng)絡(luò)公開度
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書目名稱Elemente der angewandten Elektronik讀者反饋
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作者: 思想流動 時間: 2025-3-21 22:55 作者: 生氣的邊緣 時間: 2025-3-22 00:24
,Transformatoren und übertrager,emdinduktion (Faktor M) aufgrund der zweiten Spule. Bei Widerstandsfreiheit gilt mit i. = i. = i für die Klemmenspannung u: . Das Pluszeichen gilt bei gleichem Wicklungssinn, das Minuszeichen bei entgegengesetztem Wicklungssinn.作者: Indolent 時間: 2025-3-22 07:54
,R?hren und Displays,n als Plasma. über einen Vorwiderstand — oft im Lampensockel eingebaut — k?nnen solche Lampen an Gleich- oder Wechselspannung betrieben werden. Beim Stromdurchgang erzeugen sie ein Glimmlicht, das schon bei Stromst?rken von 10 μA sichtbar wird. . zeigt ein bekanntes Anwendungsbeispiel.作者: GLIB 時間: 2025-3-22 11:44
Bipolare Transistoren,t dem gemeinsamen Punkt B’ im Inneren der Basiszone, der über den ?Basisbahnwiderstand“ R., (Gr??enordnung einige Ohm) zum Anschluss B Verbindung hat. Dieses Bild mit getrennten Dioden erkl?rt schematisch den Transistoraufbau, nicht aber seine Funktion.作者: 透明 時間: 2025-3-22 15:33 作者: 透明 時間: 2025-3-22 17:38
,Digitale Verknüpfungs- und Speicherschaltungen,l (Ausgangsvariable) wird die Spannung u. betrachtet. Bei offenen Klemmen wird durch den Widerstand R im ersten Fall der Ausgang A auf Massepotential, im zweiten Fall auf ein positives Potential + U. gezogen.作者: 皮薩 時間: 2025-3-23 00:31
Textbook 200715th editionge für Schaltungsentwicklungen. Neue Themen sind Nanokristalline Spulenkerne, Leistungsmodule, D-Verst?rker und Brennstoffzellen. Eine beiliegende CD behandelt die theoretischen Grundlagen und Verfahrensweisen der Halbleitertechnologie. Darüber hinaus gew?hrt sie einen Einblick in das neue Gebiet der Mikrosystemtechnik..作者: 解決 時間: 2025-3-23 03:35 作者: LAY 時間: 2025-3-23 07:43
Emilio Di Lorenzo,Simone Manzato. Die entstehende ?Potentialschwelle“ wirkt mit ihrem elektrischen Feld dem Ausgleichsbestreben entgegen. Es bildet sich die Diffusionsspannung U. über einem an freien Ladungstr?gern verarmten übergangsgebiet, der sog. Sperrschicht. Versehen mit beiderseitigen Metallkontakten entsteht eine Diode.).作者: 懶惰民族 時間: 2025-3-23 10:27 作者: AXIOM 時間: 2025-3-23 17:25 作者: 撫慰 時間: 2025-3-23 20:39
e, D-Verst?rker und Brennstoffzellen. Eine beiliegende CD behandelt die theoretischen Grundlagen und Verfahrensweisen der Halbleitertechnologie. Darüber hinaus gew?hrt sie einen Einblick in das neue Gebiet der Mikrosystemtechnik..978-3-8348-9021-4作者: CRAMP 時間: 2025-3-23 23:45
https://doi.org/10.1007/978-1-4842-0310-1wingungsanfachung (Selbsterregung) aus dem Rauschen heraus auf, bis eine Amplitudenbegrenzung durch die S?ttigung der OPs eintritt, wobei eine gewisse Schwingungsverzerrung unvermeidlich ist. Diese wird umso st?rker, je gr??er die Schleifenverst?rkung des offenen Kreises ist.作者: Panther 時間: 2025-3-24 06:08
Numerical Series and Power Series,isschaltung (V. ≈ 1), tritt er wieder am Kollektor aus. Damit ergibt sich n?herungsweise eine Schleifenverst?rkung V. für den Strom entsprechend .. Die Schaltung kann vorübergehend instabil werden und damit kippen unter der Voraussetzung V. > 1.).作者: 刪減 時間: 2025-3-24 08:43 作者: LASH 時間: 2025-3-24 11:57 作者: 相互影響 時間: 2025-3-24 15:26
https://doi.org/10.1007/978-3-540-70698-4linie des Umsetzers besteht jedoch nur aus einzelnen diskreten Punkten, die auf einer Geraden durch den Nullpunkt liegen. Der h?chste Punkt ist nach 2.-1 Stufen erreicht und liegt um eine Stufe unter dem mit . definierten Bereichsendwert U..作者: PRE 時間: 2025-3-24 21:06 作者: Muffle 時間: 2025-3-25 03:04
Textbook 200715th editionchlossen dargestellt und lassen sich für unterschiedliche Lehrveranstaltungen verwenden oder nur um Lücken zu schlie?en. Mit seinen zahlreichen Beispielen vermittelt das Buch zwischen Theorie und Praxis. Es ist ein zuverl?ssiger Begleiter für das Elektronikpraktikum und darüber hinaus Arbeitsgrundla作者: minaret 時間: 2025-3-25 06:03 作者: corpus-callosum 時間: 2025-3-25 07:59 作者: 處理 時間: 2025-3-25 14:33
,Operationsverst?rker,. Die Letztere wird gebildet durch den gemeinsamen Schaltungspunkt einer positiven und negativen Betriebsspannungsquelle. Die einzelnen Verst?rkerstufen sind galvanisch gekoppelt, so dass auch Gleichspannungen verst?rkt werden k?nnen (Gleichspannungsverst?rker).作者: 刀鋒 時間: 2025-3-25 17:48
Aufbau (Struktur) von Mathematica,emdinduktion (Faktor M) aufgrund der zweiten Spule. Bei Widerstandsfreiheit gilt mit i. = i. = i für die Klemmenspannung u: . Das Pluszeichen gilt bei gleichem Wicklungssinn, das Minuszeichen bei entgegengesetztem Wicklungssinn.作者: cancellous-bone 時間: 2025-3-25 20:23
Christoph überhuber,Stefan Katzenbeissern als Plasma. über einen Vorwiderstand — oft im Lampensockel eingebaut — k?nnen solche Lampen an Gleich- oder Wechselspannung betrieben werden. Beim Stromdurchgang erzeugen sie ein Glimmlicht, das schon bei Stromst?rken von 10 μA sichtbar wird. . zeigt ein bekanntes Anwendungsbeispiel.作者: amputation 時間: 2025-3-26 00:29 作者: IOTA 時間: 2025-3-26 04:41 作者: faddish 時間: 2025-3-26 11:35
Display Volumes and Specialized Graphics,l (Ausgangsvariable) wird die Spannung u. betrachtet. Bei offenen Klemmen wird durch den Widerstand R im ersten Fall der Ausgang A auf Massepotential, im zweiten Fall auf ein positives Potential + U. gezogen.作者: 點燃 時間: 2025-3-26 12:59 作者: Predigest 時間: 2025-3-26 18:26 作者: alliance 時間: 2025-3-26 23:43
Halbleiterdioden,Ausgleichsbestreben). Durch den Zufluss von L?chern bzw. den Abfluss von Elektronen ergibt sich eine Potentialanhebung der n-Zone gegenüber der p-Zone. Die entstehende ?Potentialschwelle“ wirkt mit ihrem elektrischen Feld dem Ausgleichsbestreben entgegen. Es bildet sich die Diffusionsspannung U. übe作者: reject 時間: 2025-3-27 02:35 作者: INERT 時間: 2025-3-27 06:33 作者: manifestation 時間: 2025-3-27 10:47
,Transformatoren und übertrager, Wicklung unterstützen sich ihre Durchflutungen beim Aufbau des magnetischen Flusses ., der sich in den durchgehenden Hauptfluss . und den Streufluss . aufteilt. Die in den Wicklungen induzierten Spannungen u1 und u2 ergeben sich aus der Selbstinduktion (Faktor L), überlagert mit einem Anteil der Fr作者: 首創(chuàng)精神 時間: 2025-3-27 15:17 作者: 幸福愉悅感 時間: 2025-3-27 19:51 作者: 功多汁水 時間: 2025-3-28 01:48 作者: Highbrow 時間: 2025-3-28 05:02
Bipolare Transistoren,Strom flie?t über einander abwechselnde n- und p-Zonen. . zeigt die Zonenfolge beim npn-Transistor, . beim dazu komplement?ren pnp-Transistor mit den Anschlüssen Emitter E, Basis B und Kollektor C. Die beiden pn-überg?nge kann man ersatzweise nach . als gegeneinander geschaltete Dioden darstellen mi作者: 裝勇敢地做 時間: 2025-3-28 06:31
,Operationsverst?rker,chenverst?rker (T3) und einer Endstufe (T4). Die Schaltung hat zwei Eing?nge — mit P und N bezeichnet — und einen Ausgang A, jeweils bezogen auf Masse. Die Letztere wird gebildet durch den gemeinsamen Schaltungspunkt einer positiven und negativen Betriebsspannungsquelle. Die einzelnen Verst?rkerstuf作者: 飛來飛去真休 時間: 2025-3-28 10:31 作者: 輕而薄 時間: 2025-3-28 16:48
Sinusoszillatoren,schalteten invertierenden Verst?rker (OP2), dessen Ausgang auf den Eingang der RC-Kette rückgekoppelt wird. Trennt man diese ?Ringschaltung“ an der gestrichelten Stelle auf, so erh?lt man für den offenen Ring die ?Schleifenverst?rkung“: . Offenbar wird bei dieser speziellen Kreis-Frequenz die Schlei作者: 瑣事 時間: 2025-3-28 22:00 作者: Mundane 時間: 2025-3-29 00:17 作者: Agnosia 時間: 2025-3-29 04:18 作者: anarchist 時間: 2025-3-29 09:11
Optoelektronik,hrte Funktion ausüben. Da es sich dabei h?ufig nur um Varianten konventioneller Bauelemente handelt, wurden einige bereits im vorangegangenen Text besprochen: Fotowiderst?nde, Fotodioden bzw. Fotoelemente, Leuchtdioden, Anzeigebausteine und Bildr?hren. Im Folgenden sollen Fototransistoren und -thyri作者: Coronary 時間: 2025-3-29 12:32
Leistungstransistoren und Anwendungen,. Die dem Transistor zugeführte und in W?rme umgesetzte (Verlust-) Leistung P muss notfalls über einen Kühlk?rper nach au?en so abgeleitet werden, dass eine überm??ige Erw?rmung des Kristalls vermieden wird. Bei Ge-Transistoren darf die Sperrschichttemperatur Tj h?chstens auf 75 … 90 °C ansteigen, b作者: curettage 時間: 2025-3-29 17:24
Current Manufacturing Techniques,Halbleiter sind in der Regel kristalline Werkstoffe, deren Leitf?higkeit niedriger ist als die Leitf?higkeit der Metalle, aber h?her als die Leitf?higkeit der Nichtleiter. Dazu geh?ren Germanium, Silizium, Selen sowie eine Reihe von Verbindungshalbleitern wie Bleisulfid, Indiumantimonid und Siliziumkarbid.作者: Tremor 時間: 2025-3-29 20:38
Homogene Halbleiterbauelemente,Halbleiter sind in der Regel kristalline Werkstoffe, deren Leitf?higkeit niedriger ist als die Leitf?higkeit der Metalle, aber h?her als die Leitf?higkeit der Nichtleiter. Dazu geh?ren Germanium, Silizium, Selen sowie eine Reihe von Verbindungshalbleitern wie Bleisulfid, Indiumantimonid und Siliziumkarbid.作者: 暫時別動 時間: 2025-3-30 00:54
Vieweg+Teubner Verlag | Springer Fachmedien Wiesbaden GmbH, Wiesbaden 2007作者: 危險 時間: 2025-3-30 07:26 作者: 口訣法 時間: 2025-3-30 09:07
https://doi.org/10.1007/978-1-349-02793-4g erforderlich ist. Es h?lt sich dabei an die Vorge- hensweise der Praxis mit einer Beschreibung der Betriebseigenschaften durch Kenndaten und Kenn- linien, die der Hersteller üblicherweise im Datenblatt angibt.作者: ethnology 時間: 2025-3-30 15:52
https://doi.org/10.1007/978-3-030-00425-5?hte in Luft, deren charakteristische Eigenschaften im Folgenden betrachtet werden. Die dabei gewonnenen Erkenntnisse lassen sich analog auch auf andere Leitungsformen in Luft und anderen Medien übertragen.作者: AROMA 時間: 2025-3-30 17:57 作者: glomeruli 時間: 2025-3-30 22:01
https://doi.org/10.1007/978-0-387-49981-9 dem Anlegen einer Spannung U nimmt der Kondensator die elektrische Ladung Q auf und speichert in seinem elektrischen Feld die Energie W. Es gilt: . Die Proportionalit?tskonstante nennt man Kapazit?t. Ihre Einheit ist 1 As/V = 1 F (Farad). Besonders gebr?uchlich sind die Untereinheiten Mikrofarad, N作者: 創(chuàng)作 時間: 2025-3-31 01:27 作者: 消耗 時間: 2025-3-31 09:02 作者: GLOSS 時間: 2025-3-31 10:46
https://doi.org/10.1007/978-3-642-77942-8bet?tigt. Für eine ausreichende Magnetkraft ist eine bestimmte Erregerdurchflutung erforderlich (Θ = I. · N = 50… 150 A bei mittlerer Baugr??e). Von der Erregung her unterscheidet man Gleichstrom- und Wechselstromrelais. Die Letzteren werden vor allem für die Energietechnik als ?Schaltschütze“ mit ?作者: Arteriography 時間: 2025-3-31 14:08
Christoph überhuber,Stefan Katzenbeisserwei teller- oder stabf?rmigen Elektroden in einem edelgasgefüllten Gef??. Durch ein ausreichend starkes elektrisches Feld zwischen beiden Elektroden werden freie Elektronen so beschleunigt, dass sie durch Sto?ionisation eine ?Zündung“ des Gases bewirken. Das somit leitf?hige Gasgemisch bezeichnet ma作者: Cardiac-Output 時間: 2025-3-31 18:03 作者: 吞吞吐吐 時間: 2025-3-31 22:00 作者: Anterior 時間: 2025-4-1 04:36 作者: DEVIL 時間: 2025-4-1 06:29
Training of Multi-Layer Neural Network,TAA 761. . stellt die Schaltung vor, ausgelegt für symmetrische Betriebsspannung mit ± U. ≤ 18 V (siehe .). Die Eingangsschaltung wird gebildet durch das Transistorpaar Tl — T2 als Differenzverst?rker in Verbindung mit Transistor T5 als Stromsenke. Bei ausschlie?licher Gleichtaktsteuerung flie?t der作者: 琺瑯 時間: 2025-4-1 13:17
https://doi.org/10.1007/978-1-4842-0310-1schalteten invertierenden Verst?rker (OP2), dessen Ausgang auf den Eingang der RC-Kette rückgekoppelt wird. Trennt man diese ?Ringschaltung“ an der gestrichelten Stelle auf, so erh?lt man für den offenen Ring die ?Schleifenverst?rkung“: . Offenbar wird bei dieser speziellen Kreis-Frequenz die Schlei作者: accessory 時間: 2025-4-1 18:02
Numerical Series and Power Series,igger mit zwei emittergekoppelten Transistoren. Diese bilden eine Mitkopplungsschleife, in der Transistor T2 als Emitterfolger und Transistor Tl in Basisschaltung arbeitet. In erster N?herung k?nnen R. und R. als relativ hochohmige Widerst?de parallel zu den jeweiligen Eing?ngen vernachl?ssigt werde作者: infringe 時間: 2025-4-1 20:54
