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標題: Titlebook: Elemente der angewandten Elektronik; Kompendium für Ausbi Erwin B?hmer Textbook 200012th edition Springer Fachmedien Wiesbaden 2000 Bauelem [打印本頁]

作者: CHORD    時間: 2025-3-21 16:08
書目名稱Elemente der angewandten Elektronik影響因子(影響力)




書目名稱Elemente der angewandten Elektronik影響因子(影響力)學科排名




書目名稱Elemente der angewandten Elektronik網(wǎng)絡(luò)公開度




書目名稱Elemente der angewandten Elektronik網(wǎng)絡(luò)公開度學科排名




書目名稱Elemente der angewandten Elektronik被引頻次




書目名稱Elemente der angewandten Elektronik被引頻次學科排名




書目名稱Elemente der angewandten Elektronik年度引用




書目名稱Elemente der angewandten Elektronik年度引用學科排名




書目名稱Elemente der angewandten Elektronik讀者反饋




書目名稱Elemente der angewandten Elektronik讀者反饋學科排名





作者: eustachian-tube    時間: 2025-3-21 22:45
,Elektrische Leitung und Widerst?nde,hte in Luft, deren charakteristische Eigenschaften im folgenden betrachtet werden. Die dabei gewonnenen Erkenntnisse lassen sich analog auch auf andere Leitungsformen in Luft und anderen Medien übertragen.
作者: CUMB    時間: 2025-3-22 03:32

作者: 譏諷    時間: 2025-3-22 08:18

作者: animated    時間: 2025-3-22 11:51
,Transformatoren und übertrager,Wicklung unterstützen sich ihre Durchflutungen beim Aufbau des magnetischen Flusses Φ, der sich in den durchgehenden Hauptflu? Φ. und den Streuflu? Φ. aufteilt. Die in den Wicklungen induzierten Spannungen u. und u. ergeben sich aus der Selbstinduktion (Faktor L), überlagert mit einem Anteil der Fre
作者: 反饋    時間: 2025-3-22 15:46
Relais,bet?tigt. Für eine ausreichende Magnetkraft ist eine bestimmte Erregerdurchflutung erforderlich (Θ = I. ? N = 50 ... 150 A bei mittlerer Baugr??e). Von der Erregung her unterscheidet man Gleichstrom- und Wechselstromrelais. Die letzteren werden vor allem für die Energietechnik als ?Schaltschütze“ mi
作者: 反饋    時間: 2025-3-22 18:01
,R?hren und Displays,wei teller- oder stabf?rmigen Elektroden in einem edelgasgefüllten Gef??. Durch ein ausreichend starkes elektrisches Feld zwischen beiden Elektroden werden freie Elektronen so beschleunigt, da? sie durch Sto?ionisation eine ?Zündung“ des Gases bewirken. über einen Vorwiderstand — oft im Lampensockel
作者: 葡萄糖    時間: 2025-3-22 23:38

作者: libertine    時間: 2025-3-23 05:00

作者: 十字架    時間: 2025-3-23 08:10
,Operationsverst?rker,chenverst?rker (T3) und einer Endstufe (T4). Die Schaltung hat zwei Eing?nge — mit P und N bezeichnet — und einen Ausgang A, jeweils bezogen auf Masse. Die letztere wird gebildet durch den gemeinsamen Schaltungspunkt einer positiven und negativen Betriebsspannungsquelle. Die einzelnen Verst?rkerstuf
作者: Pde5-Inhibitors    時間: 2025-3-23 10:36

作者: incisive    時間: 2025-3-23 16:19
Kippschaltungen,igger mit zwei emittergekoppelten Transistoren. Diese bilden eine Mitkopplungsschleife, in der Transistor T2 als Emitterfolger und Transistor T1 in Basisschaltung arbeitet. In erster N?herung k?nnen R. und R. als relativ hochohmige Widerst?nde parallel zu den jeweiligen Eing?ngen vernachl?ssigt werd
作者: 形狀    時間: 2025-3-23 19:43
,Digitale Verknüpfungs- und Speicherschaltungen,s Gatters kann der übertragungsweg für ein Signal vom Eingang zum Ausgang freigegeben oder gesperrt werden. . zeigt zwei Ausführungsformen mit nur 2 Eing?ngen. Als unabh?ngige Eingangssignale (Eingangsvariable) sind die eingetragenen Spannungen u. und u. anzusehen, als davon abh?ngiges Ausgangssigna
作者: 可忽略    時間: 2025-3-23 22:18
DA- und AD-Umsetzer,verdeutlicht mit . Die Ausg?nge eines 3 Bit-Dualz?hlers mit den Bits d., d., d. werden einem DA-Umsetzer zugeführt, der analog zum jeweiligen Z?hlerstand eine Ausgangsspannung u. bildet. Gem?? der schrittweisen ?nderung der Dualzahl kann sich auch die Spannung u. nur schrittweise um jeweils eine Spa
作者: patriot    時間: 2025-3-24 04:32

作者: pus840    時間: 2025-3-24 10:22

作者: admission    時間: 2025-3-24 11:45

作者: maroon    時間: 2025-3-24 17:49

作者: 不妥協(xié)    時間: 2025-3-24 22:48

作者: 分發(fā)    時間: 2025-3-25 01:35

作者: syncope    時間: 2025-3-25 05:03

作者: sperse    時間: 2025-3-25 08:42
Abschied vom franz?sischen Modell?l (Ausgangsvariable) wird die Spannung u. betrachtet. Bei offenen Klemmen wird durch den Widerstand R im ersten Fall der Ausgang A auf Massepotential, im zweiten Fall auf ein positives Potential + U. gezogen.
作者: adduction    時間: 2025-3-25 12:50
,R?hren und Displays, eingebaut — k?nnen diese Lampen an Gleich- oder Wechselspannung betrieben werden. Beim Stromdurchgang erzeugen sie ein Glimmlicht, das schon bei Stromst?rken von 10 μA sichtbar wird. . zeigt ein bekanntes Anwendungsbeispiel.
作者: 不幸的人    時間: 2025-3-25 18:20

作者: 尊嚴    時間: 2025-3-25 20:17

作者: 搖晃    時間: 2025-3-26 04:02
,Digitale Verknüpfungs- und Speicherschaltungen,l (Ausgangsvariable) wird die Spannung u. betrachtet. Bei offenen Klemmen wird durch den Widerstand R im ersten Fall der Ausgang A auf Massepotential, im zweiten Fall auf ein positives Potential + U. gezogen.
作者: neoplasm    時間: 2025-3-26 06:44

作者: 柏樹    時間: 2025-3-26 08:35

作者: 惡意    時間: 2025-3-26 14:09
Malte Lübker,Suzanne S. Schüttemeyersisschaltung (V. ≈ 1), tritt er wieder am Kollektor aus. Damit ergibt sich n?herungsweise eine Schleifenverst?rkung V. für den Strom entsprechend .. Die Schaltung kann vorübergehend instabil werden und damit kippen unter der Voraussetzung V. > 1.).
作者: CON    時間: 2025-3-26 19:43
Kippschaltungen,sisschaltung (V. ≈ 1), tritt er wieder am Kollektor aus. Damit ergibt sich n?herungsweise eine Schleifenverst?rkung V. für den Strom entsprechend .. Die Schaltung kann vorübergehend instabil werden und damit kippen unter der Voraussetzung V. > 1.).
作者: 冰雹    時間: 2025-3-27 00:18
W. Solbach,S. Barth,M. R?llinghoff,H. Wagner Die entstehende ?Potentialschwelle“ wirkt mit ihrem elektrischen Feld dem Ausgleichsbestreben entgegen. Es bildet sich die Diffusionsspannung U. über einem an freien Ladungstr?gern verarmten übergangsgebiet, der sog. Sperrschicht. Versehen mit beiderseitigen Metallkontakten entsteht eine Diode.).
作者: SKIFF    時間: 2025-3-27 02:08
Sylvia Plath: Death and the Self,. Die letztere wird gebildet durch den gemeinsamen Schaltungspunkt einer positiven und negativen Betriebsspannungsquelle. Die einzelnen Verst?rkerstufen sind galvanisch gekoppelt, so da? auch Gleichspannungen verst?rkt werden k?nnen (Gleichspannungsverst?rker).
作者: 聯(lián)想記憶    時間: 2025-3-27 07:38

作者: 不理會    時間: 2025-3-27 12:04
,Fehlerm?glichkeiten der Lymphographie,erforderlich ist. Es h?lt sich dabei an die Vorgehensweise der Praxis mit einer Beschreibung der Betriebseigenschaften durch Kenndaten und Kennlinien, die der Hersteller üblicherweise im Datenblatt angibt.
作者: 過份艷麗    時間: 2025-3-27 13:43
Lymphographie und Tumordiagnostikhte in Luft, deren charakteristische Eigenschaften im folgenden betrachtet werden. Die dabei gewonnenen Erkenntnisse lassen sich analog auch auf andere Leitungsformen in Luft und anderen Medien übertragen.
作者: Hallmark    時間: 2025-3-27 19:15

作者: hematuria    時間: 2025-3-28 01:29
über Funktionen von B- und T-Zellenagnetisches Feld mit dem Energieinhalt W. Das Spuleninnere wird von dem Bündelflu? Φ durchdrungen. Bei einer offenen Zylinderspule nach . streuen die Feldlinien stark in den Raum aus. Mit der Annahme, da? sie alle N Windungen durchsetzen, definiert man den verketteten Flu? Ψ = N ? Φ.
作者: 憤慨一下    時間: 2025-3-28 02:12
Immunotherapy for Lynch Syndrome Patients,Wicklung unterstützen sich ihre Durchflutungen beim Aufbau des magnetischen Flusses Φ, der sich in den durchgehenden Hauptflu? Φ. und den Streuflu? Φ. aufteilt. Die in den Wicklungen induzierten Spannungen u. und u. ergeben sich aus der Selbstinduktion (Faktor L), überlagert mit einem Anteil der Fre
作者: 沒花的是打擾    時間: 2025-3-28 07:19

作者: 出汗    時間: 2025-3-28 12:33

作者: delusion    時間: 2025-3-28 17:11
https://doi.org/10.1057/9781137383358 zeigt schematisch den Aufbau eines Sperrschicht-Feldeffekt-Transistors. Eine innere ?Kanalzone“ von n- oder p-leitendem Typ wird umgeben von einem Mantel, der sog. Gatezone vom entgegengesetzten Leitungstyp. Diese hat den Anschlu? ?Gate“ G, der für die Stromleitung vorgesehene Kanal hat die Anschlü
作者: 圓錐    時間: 2025-3-28 21:23

作者: murmur    時間: 2025-3-29 00:57

作者: organism    時間: 2025-3-29 03:05
Lyrik der Befreiungskriege (1812-1815)TAA 761. . stellt die Schaltung vor, ausgelegt für symmetrische Betriebsspannung mit ± U. ≤ 18 V (siehe .). Die Eingangsschaltung wird gebildet durch das Transistorpaar T1-T2 als Differenzverst?rker in Verbindung mit Transistor T5 als Stromsenke. Bei ausschlie?licher Gleichtaktsteuerung flie?t der v
作者: 神刊    時間: 2025-3-29 08:41

作者: 嬰兒    時間: 2025-3-29 11:36
Abschied vom franz?sischen Modell?s Gatters kann der übertragungsweg für ein Signal vom Eingang zum Ausgang freigegeben oder gesperrt werden. . zeigt zwei Ausführungsformen mit nur 2 Eing?ngen. Als unabh?ngige Eingangssignale (Eingangsvariable) sind die eingetragenen Spannungen u. und u. anzusehen, als davon abh?ngiges Ausgangssigna
作者: 蕁麻    時間: 2025-3-29 17:02
Internationale Wettbewerbsstrategien,verdeutlicht mit . Die Ausg?nge eines 3 Bit-Dualz?hlers mit den Bits d., d., d. werden einem DA-Umsetzer zugeführt, der analog zum jeweiligen Z?hlerstand eine Ausgangsspannung u. bildet. Gem?? der schrittweisen ?nderung der Dualzahl kann sich auch die Spannung u. nur schrittweise um jeweils eine Spa
作者: 蚊子    時間: 2025-3-29 23:44

作者: 宏偉    時間: 2025-3-30 00:08
,Ann?herungen und Explorationen,. Die dem Transistor zugeführte und in W?rme umgesetzte (Verlust-) Leistung P mu? notfalls über einen Kühlk?rper nach au?en so abgeleitet werden, da? eine überm??ige Erw?rmung des Kristalls vermieden wird.
作者: 無瑕疵    時間: 2025-3-30 06:54
Springer Fachmedien Wiesbaden 2000
作者: 倔強不能    時間: 2025-3-30 08:50
Overview: schulübergreifend978-3-322-92833-7
作者: Anthem    時間: 2025-3-30 14:59
,Fehlerm?glichkeiten der Lymphographie,erforderlich ist. Es h?lt sich dabei an die Vorgehensweise der Praxis mit einer Beschreibung der Betriebseigenschaften durch Kenndaten und Kennlinien, die der Hersteller üblicherweise im Datenblatt angibt.
作者: Monolithic    時間: 2025-3-30 18:18
Lymphographie und Tumordiagnostikhte in Luft, deren charakteristische Eigenschaften im folgenden betrachtet werden. Die dabei gewonnenen Erkenntnisse lassen sich analog auch auf andere Leitungsformen in Luft und anderen Medien übertragen.
作者: 紀念    時間: 2025-3-30 23:27

作者: VEST    時間: 2025-3-31 04:48

作者: pulmonary    時間: 2025-3-31 05:56
https://doi.org/10.1057/9781137383358 zeigt schematisch den Aufbau eines Sperrschicht-Feldeffekt-Transistors. Eine innere ?Kanalzone“ von n- oder p-leitendem Typ wird umgeben von einem Mantel, der sog. Gatezone vom entgegengesetzten Leitungstyp. Diese hat den Anschlu? ?Gate“ G, der für die Stromleitung vorgesehene Kanal hat die Anschlüsse ?Source“ S und ?Drain“ D.
作者: 起波瀾    時間: 2025-3-31 10:07

作者: infinite    時間: 2025-3-31 13:23

作者: Moderate    時間: 2025-3-31 18:22
,Einführung,erforderlich ist. Es h?lt sich dabei an die Vorgehensweise der Praxis mit einer Beschreibung der Betriebseigenschaften durch Kenndaten und Kennlinien, die der Hersteller üblicherweise im Datenblatt angibt.
作者: MORT    時間: 2025-4-1 00:21
,Elektrische Leitung und Widerst?nde,hte in Luft, deren charakteristische Eigenschaften im folgenden betrachtet werden. Die dabei gewonnenen Erkenntnisse lassen sich analog auch auf andere Leitungsformen in Luft und anderen Medien übertragen.
作者: 預(yù)兆好    時間: 2025-4-1 04:49

作者: 糾纏    時間: 2025-4-1 06:53
Relais,bet?tigt. Für eine ausreichende Magnetkraft ist eine bestimmte Erregerdurchflutung erforderlich (Θ = I. ? N = 50 ... 150 A bei mittlerer Baugr??e). Von der Erregung her unterscheidet man Gleichstrom- und Wechselstromrelais. Die letzteren werden vor allem für die Energietechnik als ?Schaltschütze“ mit ?geblechtem“ Kern gebaut.
作者: 我吃花盤旋    時間: 2025-4-1 11:07
Feldeffekt-Transistoren, zeigt schematisch den Aufbau eines Sperrschicht-Feldeffekt-Transistors. Eine innere ?Kanalzone“ von n- oder p-leitendem Typ wird umgeben von einem Mantel, der sog. Gatezone vom entgegengesetzten Leitungstyp. Diese hat den Anschlu? ?Gate“ G, der für die Stromleitung vorgesehene Kanal hat die Anschlüsse ?Source“ S und ?Drain“ D.
作者: Rheumatologist    時間: 2025-4-1 17:16
Optoelektronik,hrte Funktion ausüben. Da es sich dabei h?ufig nur um Varianten konventioneller Bauelemente handelt, wurden einige bereits im vorangegangenen Text besprochen: Fotowiderst?nde, Fotodioden bzw. Fotoelemente, Leuchtdioden, Anzeigebausteine und Bildr?hren. Im folgenden sollen Fototransistoren und -thyristoren behandelt werden.
作者: lymphedema    時間: 2025-4-1 21:16

作者: Employee    時間: 2025-4-2 00:01
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