標(biāo)題: Titlebook: Bauelemente der Halbleiter-Elektronik; Rudolf Müller (Professor, Inhaber) Textbook 19873rd edition Springer-Verlag Berlin/Heidelberg 1987 [打印本頁] 作者: BREED 時(shí)間: 2025-3-21 19:02
書目名稱Bauelemente der Halbleiter-Elektronik影響因子(影響力)
書目名稱Bauelemente der Halbleiter-Elektronik影響因子(影響力)學(xué)科排名
書目名稱Bauelemente der Halbleiter-Elektronik網(wǎng)絡(luò)公開度
書目名稱Bauelemente der Halbleiter-Elektronik網(wǎng)絡(luò)公開度學(xué)科排名
書目名稱Bauelemente der Halbleiter-Elektronik被引頻次
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書目名稱Bauelemente der Halbleiter-Elektronik年度引用
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書目名稱Bauelemente der Halbleiter-Elektronik讀者反饋
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作者: FLASK 時(shí)間: 2025-3-21 20:19 作者: insightful 時(shí)間: 2025-3-22 02:31 作者: 許可 時(shí)間: 2025-3-22 04:35 作者: 凝視 時(shí)間: 2025-3-22 12:30
Conclusion: Culture, Clutter, Contemplationen (z.B. der thermischen Bewegung der Ladungstr?ger). Die in Kap. 1 bis 3 verwendeten Begriffe werden hier kurz besprochen, w?hrend im übrigen auf die Literatur verwiesen wird (z.B. [7, 132–134, 144]).作者: opalescence 時(shí)間: 2025-3-22 14:12 作者: 愚笨 時(shí)間: 2025-3-22 18:29
Dioden,t eine gro?e Vielzahl von speziellen, den Anforderungen angepa?ten Ausführungsformen auf. In einer gro?en Zahl von Anwendungen (Gleichrichtung, Mischen, Schalten) interessieren die . Eigenschaften der Diode, wie sie die .-.-Kennlinie wiedergibt. Die Impedanz, der Quotient aus Spannung und Strom, ken作者: 暴發(fā)戶 時(shí)間: 2025-3-23 00:12
Thyristoren, sehr wirtschaftlicher Weise die Umformung von Energie und die Regelung von Verbrauchern (z. B. der Thyristor als Stellglied für Fahrzeugmotoren) erm?glicht [107]. Es sind Schaltleistungen bis in die Gr??enordnung MW je Einzelelement erreichbar. Aus Gründen der guten Sperreigenschaften und der hohen作者: 埋葬 時(shí)間: 2025-3-23 01:27 作者: Intentional 時(shí)間: 2025-3-23 08:33
Halbleiter-Elektronikhttp://image.papertrans.cn/b/image/181566.jpg作者: 妨礙議事 時(shí)間: 2025-3-23 12:54
https://doi.org/10.1007/978-3-642-96960-7Bauelemente; Dioden; Entwicklung; Halbleiter; Halbleiter-Elektronik; Halbleiterbauelement; Reibung; Thyrist作者: 是剝皮 時(shí)間: 2025-3-23 15:00 作者: Corral 時(shí)間: 2025-3-23 19:15
Bauelemente der Halbleiter-Elektronik978-3-642-96960-7Series ISSN 0172-5882 作者: Mercantile 時(shí)間: 2025-3-24 01:28 作者: 責(zé)問 時(shí)間: 2025-3-24 02:39 作者: 斗志 時(shí)間: 2025-3-24 07:55
Welcome to Home: An Introduction, sehr wirtschaftlicher Weise die Umformung von Energie und die Regelung von Verbrauchern (z. B. der Thyristor als Stellglied für Fahrzeugmotoren) erm?glicht [107]. Es sind Schaltleistungen bis in die Gr??enordnung MW je Einzelelement erreichbar. Aus Gründen der guten Sperreigenschaften und der hohen作者: 雕鏤 時(shí)間: 2025-3-24 13:49
Conclusion: Culture, Clutter, Contemplatione Wechselenergie kann entweder von anderen für diesen Fall nicht interessierenden Signalen herrühren (z. B. Nebensprechen), oder sie kann ihre Ursache in statistisch schwankenden Vorg?ngen haben (Rauschen). Beide Ger?uschursachen bestimmen das kleinste noch verarbeitbare Signal. W?hrend das Nebenspr作者: ELUDE 時(shí)間: 2025-3-24 15:49
,The Political Liveliness of the?Domestic,Der Injektionstransistor ist ein Dreischicht-Element, d. h. eine .- bzw. eine .-Struktur, in welcher die beiden .-überg?nge r?umlich so nahe angeordnet sind, da? sie sich gegenseitig beeinflussen.作者: 男學(xué)院 時(shí)間: 2025-3-24 23:03
The Domestic Kitchen across TimeDer Feldeffekttransistor (FET) wurde bereits vor Entdeckung des normalen Transistoreffektes vorgesehlagen [88, 89], jedoch erst gegen Ende der fünfziger Jahre zufriedenstellend realisiert.作者: OMIT 時(shí)間: 2025-3-24 23:18 作者: 鞠躬 時(shí)間: 2025-3-25 05:17
Home, Materiality, Memory and BelongingIm Interesse der Vollst?ndigkeit der Aufz?hlung der Halbleiter-Bauelemente und wegen ihrer Bedeutung in speziellen Bereichen der Technik werden in diesem Kapitel Bauelemente beschrieben, die sich nicht in das bisherige Schema der Beschreibung einordnen.作者: 朋黨派系 時(shí)間: 2025-3-25 10:57 作者: obviate 時(shí)間: 2025-3-25 12:46
Feldeffekttransistoren,Der Feldeffekttransistor (FET) wurde bereits vor Entdeckung des normalen Transistoreffektes vorgesehlagen [88, 89], jedoch erst gegen Ende der fünfziger Jahre zufriedenstellend realisiert.作者: Mettle 時(shí)間: 2025-3-25 18:21
Integrierte Schaltungen,Unter einer integrierten Schaltung versteht man die Realisierung einer vollst?ndigen funktionsf?higen elektronischen Schaltung in einem einzigen Halbleiterkristall. Als Material wird meist Si genommen, für Sonderzwecke auch GaAs.作者: NOT 時(shí)間: 2025-3-25 20:34
Spezielle Halbleiter-Bauelemente,Im Interesse der Vollst?ndigkeit der Aufz?hlung der Halbleiter-Bauelemente und wegen ihrer Bedeutung in speziellen Bereichen der Technik werden in diesem Kapitel Bauelemente beschrieben, die sich nicht in das bisherige Schema der Beschreibung einordnen.作者: eardrum 時(shí)間: 2025-3-26 01:24
7樓作者: linear 時(shí)間: 2025-3-26 06:54
7樓作者: Urgency 時(shí)間: 2025-3-26 10:36
8樓作者: tattle 時(shí)間: 2025-3-26 13:49
8樓作者: 聯(lián)邦 時(shí)間: 2025-3-26 17:49
8樓作者: 遺傳 時(shí)間: 2025-3-26 21:53
9樓作者: debase 時(shí)間: 2025-3-27 03:10
9樓作者: 粗鄙的人 時(shí)間: 2025-3-27 07:41
9樓作者: PALSY 時(shí)間: 2025-3-27 12:52
9樓作者: 辮子帶來幫助 時(shí)間: 2025-3-27 15:40
10樓作者: PHIL 時(shí)間: 2025-3-27 21:46
10樓作者: Aprope 時(shí)間: 2025-3-27 22:23
10樓作者: 憤慨一下 時(shí)間: 2025-3-28 03:38
10樓
